M5311-1/UM型LPCVD设备

低压化学气相淀积设备（LPCVD)，是在20 - 300PA左右的反应压力下，通过气体的化学反应生成固体反应物，并使其淀积在硅片表面形成薄膜的工艺设备。由于其制备的薄膜具有质量优异、均匀性好、产量高的特点，被广泛用于微电子等行业中氧化硅和多晶硅等薄膜的制备。适用于晶硅电池行业中的TOPCON电池多晶硅薄膜的制备，具有产能大、工艺效果好、兼容原位掺杂工艺等特点。相比较传统卧式炉管设备，立式扩散设备具备：高效稳定，高精度温度控制性能，良好工艺效果和低能耗等技术优势。

所属分类

高端光伏装备

产品描述

设备概述：

产品的主要特点及优势：

硅片尺寸可兼容至230mm;
采用独特的控温方式，确保工艺区温度的均匀性与稳定性;
全金属内腔，腔体无损坏，设备利用率高，生产成本低；
沿反应腔径向方向无形变，管径更小，能耗更低；
分段多形式进气管路设计，工艺均匀性更优；
整机模块化设计，兼容性强，可与硼扩散/LPCVD互相升级。

主要技术参数

工艺种类	SiOX 、Poly-Si、原位掺杂	遂穿层均匀性	片内≤±0.2NM、片间≤±0.2NM、批间≤±0.1NM
可选管数	6管/台、12管/台	本征层均匀性	片内≤5%、片间≤4%、批间≤3%
石英管内径	≥350mm	原位掺杂均匀性	片内≤5%、片间≤5%、批间≤4%
典型装片量	182硅片：1400片/舟	温度控制范围	400℃ - 700℃
典型装片量	210硅片：1200片/舟	恒温区长度及精度	≤±1℃/1700mm(500℃ - 700℃)
温度速率	最大升温速率为20℃/min 最大降温速率为3℃/min (800℃）	工作压力	20 - 300Mbar（闭环控制）